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您正在寻找一颗能扛起大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？DMT43M8LFV-7正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有40V的耐压和高达87A的电流处理能力，其核心魅力在于仅4毫欧的超低导通电阻，能大幅降低开关过程中的功率损耗，直接为您带来更低的温升和更高的系统效率。

它让您在设计DC-DC转换器、电机驱动或负载开关时游刃有余。优异的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，而紧凑的PowerDI3333-8封装则帮助您轻松实现高功率密度布局。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMT43M8LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 87A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):87A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3213 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.25W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT43M8LFV-7，Diodes产品一站式供应商。