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还在寻找那颗能同时兼顾高效率、低损耗和卓越散热性能的MOSFET吗？DMT6004LPS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和高达22A（Ta）的连续电流能力，其核心魅力在于极低的2.8毫欧导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的电源转换效率轻松跃升新台阶。

它专为应对高要求应用而设计。无论是处理高频开关任务，还是需要在紧凑空间内耗散高达105W（Tc）的功率，其优化的栅极电荷和PowerDI5060封装都能让您游刃有余。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了它在各种恶劣环境下依然稳定可靠。选择DMT6004LPS-13，就是选择了一个让设计更简单、让产品更强大的高效伙伴。

• 型号:DMT6004LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4515 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），105W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT6004LPS-13，Diodes产品一站式供应商。