我们为全球各个行业提供Diodes DMT6005LFG-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能兼顾高效率与高可靠性的功率开关而烦恼吗？DMT6005LFG-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和卓越的电流承载能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对严苛的设计挑战。优化的开关特性（如较低的栅极电荷）意味着您可以实现更快的开关频率和更低的驱动损耗，从而提升整体系统效率。同时，其宽广的工作温度范围和坚固的PowerDI3333封装，确保了在各种环境下的长期稳定运行。选择DMT6005LFG-13，就是选择为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:DMT6005LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3150 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.98W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6005LFG-13，Diodes产品一站式供应商。