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还在为寻找一颗高效、可靠的功率开关而烦恼吗？DMT6005LSS-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有60V/13.5A的强劲规格，其核心价值在于极低的导通电阻（仅6毫欧@10V），能显著减少开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对工业控制、电源管理和各类消费电子应用中的挑战。优异的栅极电荷特性确保了快速开关响应，而宽泛的工作温度范围则提供了强大的环境适应性。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的“心脏”，轻松实现性能与可靠性的双重飞跃。

• 型号:DMT6005LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2962 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT6005LSS-13，Diodes产品一站式供应商。