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还在寻找一颗能同时兼顾高性能与小体积的开关解决方案吗？ZXMN6A08E6TA正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和2.8A的连续电流能力，其核心魅力在于低至80毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的终端产品能效，让电池更耐用，系统更凉爽。

它专为高效开关而优化。仅需4.5V的低驱动电压即可完全开启，让您能轻松使用常见的MCU直接驱动，极大简化了外围电路设计。同时，极低的栅极电荷和输入电容确保了超快的开关速度，特别适合高频应用，让您的电源转换或电机控制响应更加迅捷。无论是空间受限的便携设备，还是要求高效率的工业模块，它都能完美嵌入，助您轻松实现设计目标。

• 型号:ZXMN6A08E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 4.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:459 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXMN6A08E6TA，Diodes产品一站式供应商。