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您是否正在寻找一颗能扛起大电流、耐高压，同时还能保持冷静高效的功率开关？DMT6007LFGQ-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和高达15A的连续漏极电流，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅6毫欧），能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了卓越的散热性能。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，它都能确保稳定可靠的性能输出。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因，让设计变得更简单，让性能表现更出众。

• 型号:DMT6007LFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6007LFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。