我们为全球各个行业提供Diodes DMTH3004LK3Q-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率转换效率的瓶颈而困扰吗？DMTH3004LK3Q-13专为高效能、高可靠性应用而生，它能让您的设计脱胎换骨。这颗30V N沟道MOSFET拥有低至4毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升整体能效；同时，高达75A的脉冲电流能力和AEC-Q101车规认证，确保其在汽车电子、工业控制等严苛环境中稳定输出，无畏挑战。

它采用热增强型的TO-252-4L封装，散热性能优异，配合宽广的-55°C至175°C工作结温，让您的设备即使在极端温度下也能持续高效运行。优化的栅极电荷特性，助力实现更快的开关速度和更低的开关损耗，是您打造下一代高效电源、电机驱动或负载开关系统的理想核心。选择DMTH3004LK3Q-13，就是为您的产品注入了强劲、可靠的心脏。

• 型号:DMTH3004LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:107W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH3004LK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。