我们为全球各个行业提供Diodes DMT6009LCT现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？DMT6009LCT正是为您而来的高效N沟道MOSFET。它拥有60V的耐压和高达37.2A的连续电流承载能力，却将导通电阻（Rds(on)）压至仅12毫欧，这意味着在您的大功率DC-DC转换、电机控制或负载开关应用中，它能显著降低导通损耗，让系统运行更凉爽、能效更高。

这颗芯片的卓越之处在于其快速开关特性。仅需4.5V的低驱动电压即可实现高效导通，同时极低的栅极电荷让开关速度更快，开关损耗更小。配合TO-220AB封装优秀的散热性能，它能帮助您轻松应对-55°C至150°C的宽温工作挑战，确保您的设计在严苛环境下依然稳定可靠，大幅提升产品竞争力。

• 型号:DMT6009LCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):37.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMT6009LCT，Diodes产品一站式供应商。