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还在为功率转换效率难以提升而烦恼吗？DMT6009LFG-13 N沟道MOSFET就是您期待的答案。它专为高效开关而优化，其低至10毫欧的导通电阻能大幅减少导通损耗，让宝贵的电能更多地用于驱动负载，而非白白转化为热量。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达60V电压和11A电流的功率路径，无论是构建紧凑的DC-DC转换器、设计灵敏的电机驱动，还是实现可靠的负载开关与保护，它都能提供强劲而高效的支持。其优异的开关特性（低栅极电荷）与PowerDI3333封装带来的良好散热能力相结合，确保您的系统在高频工作中依然保持低温与稳定，显著提升整体能效和可靠性。

• 型号:DMT6009LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.08W（Ta），19.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6009LFG-13，Diodes产品一站式供应商。