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还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和易驱动的功率开关而烦恼吗？DMT6010SCT正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和98A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的7.2毫欧导通电阻，能显著减少您系统中的导通损耗，直接提升能效，让设备运行更凉爽、更持久。

它能让您的设计工作变得异常轻松。优化的栅极特性让驱动设计简单高效，加速开关速度的同时降低整体损耗。无论是构建高效的DC-DC电源、驱动电机，还是管理电池负载，DMT6010SCT都能提供稳定可靠的性能，并凭借其TO-220封装和宽温工作范围，确保在各种应用环境中游刃有余。

• 型号:DMT6010SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):98A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1940 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMT6010SCT，Diodes产品一站式供应商。