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还在为开关损耗和散热问题困扰吗？DMT6013LFDF-7 N沟道MOSFET就是为您的高效设计而生。它拥有60V的坚固耐压和10A的强大电流吞吐能力，核心优势在于其极低的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比大幅提升。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或电源管理模块轻松实现高效电能转换。其优化的动态参数确保快速、干净的开关动作，帮助您简化驱动设计，并支持更高的工作频率，从而允许使用更小型的被动元件，最终助力您打造出更紧凑、更轻薄的终端产品。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:DMT6013LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1081 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMT6013LFDF-7，Diodes产品一站式供应商。