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还在为寻找一颗既能扛大电流、又拥有极低导通电阻的MOSFET而烦恼吗？DMT6015LFV-7正是为您的高效设计而来。这颗N沟道功率MOSFET拥有60V的漏源电压和低至16毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率大幅提升，运行更凉爽。

它高达35A（Tc）的连续电流承载能力，让您轻松应对各种高负载场景。同时，其优化的动态参数（如低栅极电荷）确保高速开关下的低损耗，帮助您简化驱动电路设计。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，DMT6015LFV-7都是您实现高性能目标的得力助手。

• 型号:DMT6015LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1103 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6015LFV-7，Diodes产品一站式供应商。