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还在为寻找一款能同时兼顾高效率与小体积的功率开关而烦恼吗？DMT6018LDR-13双N沟道MOSFET阵列正是您的理想解决方案。它能为您做什么？核心在于以极低的17毫欧导通电阻和高达8.8A的连续电流处理能力，显著降低功率损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更持久。

这颗芯片采用紧凑的DFN3030封装，却拥有强大的60V耐压和出色的散热性能，让您轻松实现高功率密度的紧凑型设计。其快速的开关特性（低栅极电荷）还能帮助您优化高频电路的效率。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，DMT6018LDR-13都能让您的产品设计如虎添翼。

• 型号:DMT6018LDR-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 8.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:869pF @ 30V
• 功率 - 最大值:1.9W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:V-DFN3030-8
• DMT6018LDR-13，Diodes产品一站式供应商。