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还在为寻找一颗既能承受高电压又能实现高效开关的MOSFET而烦恼吗？DMT6018LDR-7正是为您而来的解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列，拥有高达60V的耐压和仅17毫欧的超低导通电阻，能显著降低您在同步整流或DC-DC转换应用中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

它集成的双通道设计，让您轻松构建紧凑的半桥或双开关电路，极大节省宝贵的PCB空间。同时，优化的栅极电荷（仅13.9nC）让驱动变得轻而易举，实现快速、干净的开关动作，提升整体系统响应速度。选择DMT6018LDR-7，就是选择让您的电源设计更高效、更可靠、更具竞争力。

• 型号:DMT6018LDR-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 8.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:869pF @ 30V
• 功率 - 最大值:1.9W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:V-DFN3030-8
• DMT6018LDR-7，Diodes产品一站式供应商。