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还在寻找那颗能兼顾高效能与小体积的“核心开关”吗？DMN2230UQ-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松胜任您电路中关键的开关任务，其低至110毫欧的导通电阻和仅2.3nC的栅极电荷，让您大幅降低功率损耗，提升整体能效，同时快速的开关特性确保了系统响应敏捷。

它能在-55°C到150°C的广阔温度范围内稳定工作，并采用节省空间的SOT-23封装，完美适配各类便携式设备、电源模块及IoT应用。选择它，就是为您的设计选择了可靠、高效与紧凑的完美结合。

• 型号:DMN2230UQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:188 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2230UQ-7，Diodes产品一站式供应商。