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还在寻找一颗能兼顾高效能与小体积的功率开关吗？DMT6030LFDF-7 N沟道MOSFET正是为您而来。它拥有60V/6.8A的强劲规格，凭借低至25.5mOhm的导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更持久，直接提升终端产品的能效和可靠性。

这颗芯片采用紧凑的U-DFN2020-6表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，非常适合空间受限的便携式设备和高度集成的模块。其宽泛的工作温度范围和优异的散热能力，确保它在各种环境下都能稳定工作。选择它，意味着您选择了一种轻松、高效的设计路径，让复杂的功率管理变得简单可靠。

• 型号:DMT6030LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25.5mOhm @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:860mW（Ta），9.62W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMT6030LFDF-7，Diodes产品一站式供应商。