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还在为空间有限的便携设备寻找一颗高效、可靠的功率开关吗？DMN2050LFDB-13双N沟道MOSFET正是为您而来。它拥有20V耐压和3.3A持续电流能力，凭借逻辑电平驱动和低至45毫欧的导通电阻，让您能用更简单的电路实现高效的能量控制，显著降低系统功耗与发热。

这颗芯片的卓越之处在于其快速的开关特性与出色的热性能。极低的栅极电荷确保高速切换，减少开关损耗；宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则保障了在各种严苛环境下的稳定运行。采用紧凑的6-UDFN封装，它为您的高密度设计节省每一毫米空间，同时提供高达730mW的功率处理能力，是提升产品能效与可靠性的理想选择。

• 型号:DMN2050LFDB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:389pF @ 10V
• 功率 - 最大值:730mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMN2050LFDB-13，Diodes产品一站式供应商。