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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、强驱动和出色散热表现的功率开关吗？DMT615MLFV-7就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET专为 demanding 应用而设计，其60V的耐压和高达38A（Tc）的连续电流能力，让您轻松应对电机驱动、电源转换等高功率场景的挑战。

它的核心魅力在于极致的能效。超低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则大幅降低了开关损耗，双管齐下，显著提升您的系统整体效率，并有效控制温升。采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，它不仅节省电路板空间，其优异的散热特性更能确保在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，为您的产品可靠性保驾护航。

• 型号:DMT615MLFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta），38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1039 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.76W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT615MLFV-7，Diodes产品一站式供应商。