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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMT616MLSS-13正是为您破解这一难题的关键。这颗N沟道MOSFET拥有60V/10A的强劲功率处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值14mΩ），能显著降低开关损耗，让您的电源模块、电机驱动或负载开关运行得更高效、更凉爽。

它采用先进的MOSFET技术，具备快速的开关速度和低栅极电荷，让您轻松实现高频高效的电路设计。同时，其宽工作温度范围和紧凑的8-SO封装，确保了在各种严苛环境下的可靠性与空间适应性。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:DMT616MLSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:785 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.39W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT616MLSS-13，Diodes产品一站式供应商。