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还在为功率转换电路的效率瓶颈和发热问题烦恼吗？DMT67M8LPSW-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，集60V耐压、高达82A的峰值电流承载能力于一身，其核心价值在于能以低至6.2毫欧的导通电阻，让大电流通过时的能量损耗锐减，直接为您提升系统能效，降低温升。

它能让您的电源设计更高效、更紧凑。优异的开关特性（低Qg，低Ciss）配合宽泛的驱动电压范围，让您轻松实现高速、低损耗的功率切换，无论是同步整流、电机驱动还是负载开关应用，都能游刃有余。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”，确保动力澎湃且持久稳定。

• 型号:DMT67M8LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.3A（Ta），82A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2130 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT67M8LPSW-13，Diodes产品一站式供应商。