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还在为功率转换系统的效率提升而苦苦寻觅关键器件吗？DMTH10H010SCT正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated推出的100V/100A N沟道MOSFET，凭借其惊人的9.5毫欧超低导通电阻，能显著降低您在开关电源、电机驱动或DC-DC转换应用中的导通损耗，直接将更多的电能高效输送给负载，让您的产品运行更凉爽、能效更出众。

它不仅仅关注静态性能，更优化了动态表现。极低的栅极电荷让开关速度更快，有效削减开关损耗，尤其适合高频工作场景。TO-220AB封装提供了强大的散热能力，确保芯片在重载下也能稳定发挥。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的心脏，轻松应对严苛的功率挑战。

• 型号:DMTH10H010SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4468 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），187W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMTH10H010SCT，Diodes产品一站式供应商。