我们为全球各个行业提供Diodes DMTH10H015LK3-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高功率开关重任，同时保持冷静与高效的“核心引擎”吗？DMTH10H015LK3-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和52.5A的强大电流处理能力，其核心魅力在于仅15毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率飙升，发热大幅减少。

它专为严苛环境打造，通过AEC-Q101车规认证，工作温度横跨-55°C至175°C，确保在汽车电子、工业控制等关键应用中稳定可靠。采用TO-252-4L封装，易于焊接和散热管理。选择它，意味着您为产品注入了强劲、高效且值得信赖的功率开关解决方案，让您的设计轻松应对高功率挑战。

• 型号:DMTH10H015LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH10H015LK3-13，Diodes产品一站式供应商。