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还在为寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关而烦恼吗？DMTH10H015SPS-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和卓越的电流驱动能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为汽车级（AEC-Q101）严苛环境打造，从-55°C到175°C的宽广工作温度范围，确保其在引擎舱、照明系统等关键部位稳定可靠。采用先进的PowerDI5060封装，散热性能优异，帮助您轻松应对高功率密度设计挑战。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，它都能让您以更小的体积和更高的可靠性，实现更强大的功率控制。

• 型号:DMTH10H015SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Ta），50.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2343 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），55W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH10H015SPS-13，Diodes产品一站式供应商。