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还在为电路板上的空间和效率发愁吗？ZXMC4A16DN8TC这颗互补MOSFET阵列芯片，就是为您解决这些痛点的得力助手。它将N沟道和P沟道MOSFET集成在一个小巧的8-SOIC封装内，让您轻松实现H桥驱动、电源路径切换等复杂功能，同时大幅节省宝贵的PCB面积。

得益于其逻辑电平门控和低至50毫欧的导通电阻，它能让您高效地控制最高40V电压、4A以上的电流，显著降低功率损耗和发热。无论是提升便携设备的电池管理效率，还是优化电机驱动的响应速度，它都能让您的设计更简洁、性能更出色、产品更具竞争力。

• 型号:ZXMC4A16DN8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 40V 5.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Ta），4.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V，60 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250mA（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770pF @ 40V，1000pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMC4A16DN8TC，Diodes产品一站式供应商。