还在为寻找一颗既能扛大电流、又拥有超低损耗的“全能型”开关管而烦恼吗?DMTH3004LFG-7正是为您而来的解决方案。它集30V耐压、高达75A(Tc)的电流承载能力与仅5.5毫欧的超低导通电阻于一身,能显著降低开关过程中的功率损耗,直接提升您的电源转换效率,让设备运行更凉爽、更持久。
这颗芯片能为您做什么?它让您轻松驾驭电机驱动、DC-DC转换及负载开关等高要求场景。其优化的栅极电荷和快速开关特性,确保系统响应迅捷无误。采用紧凑的PowerDI3333-8封装,为您节省宝贵的电路板空间,同时其宽泛的工作温度范围(-55°C ~ 175°C)保障了在各种严苛环境下的稳定性和可靠性,是您打造高效、紧凑、坚固耐用产品的理想基石。
- 型号:DMTH3004LFG-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:POWERDI3333-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Ta),75A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.5 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):44 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2370 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),50W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:POWERDI3333-8
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- DMTH3004LFG-7,Diodes产品一站式供应商。