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还在为功率转换效率的瓶颈而烦恼吗？DMTH3004LPSQ-13正是为您破解这一难题而生。这颗30V N沟道MOSFET，凭借其惊人的3.8毫欧超低导通电阻，能大幅减少导通损耗，让您的电源设计轻松突破能效极限，释放更多性能潜力。

它不仅能承载高达145A（Tc）的强劲电流，更拥有43.7nC的低栅极电荷，确保开关动作既迅速又高效。无论是构建紧凑的汽车电机驱动单元，还是设计高功率密度的服务器电源，它都能让您以更小的体积和更低的发热，实现更稳定、更强大的功率输出。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心基因。

• 型号:DMTH3004LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），145A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.7 nC @ 15 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH3004LPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。