我们为全球各个行业提供Diodes DMTH4007SK3-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起大电流、高效开关重任的“核心引擎”吗？DMTH4007SK3-13正是这样一款专为严苛应用而生的N沟道MOSFET。它拥有40V的耐压和高达76A（Tc）的电流处理能力，配合仅6毫欧的超低导通电阻，能显著降低您在电源转换或电机驱动中的导通损耗，让系统运行更凉爽、能效更高。

这颗芯片采用坚固的TO-252表面贴装封装，并符合汽车级AEC-Q101标准，确保它能在-55°C到175°C的极端温度范围内稳定工作。其快速的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现高效的高频开关设计。无论是提升现有产品的性能，还是开发面向未来的高可靠性方案，DMTH4007SK3-13都能让您的设计之路更加顺畅高效。

• 型号:DMTH4007SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 17.6A/76A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.6A（Ta），76A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2082 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH4007SK3-13，Diodes产品一站式供应商。