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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？DMTH4007SPDQ-13双N沟道MOSFET阵列，正是为您破解这一难题而生。它凭借低至8.6毫欧的导通电阻和高达14.2A的电流处理能力，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片采用紧凑的PowerDI506封装，为您节省宝贵的电路板空间，轻松实现高功率密度设计。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和优化的动态参数，确保它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作。选择它，就是选择让您的产品在能效和可靠性上获得双重优势。

• 型号:DMTH4007SPDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.6 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2026pF @ 30V
• 功率 - 最大值:2.6W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMTH4007SPDQ-13，Diodes产品一站式供应商。