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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMTH4007SPSQ-13正是为您的高效设计而生。这颗40V N沟道MOSFET拥有惊人的7.6毫欧超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，能效比显著提升，直接将更多电能转化为有效输出，而非无谓的热量。

它能让您轻松驾驭高达15.7A的连续电流，并凭借其低栅极电荷和优秀的开关特性，实现高效、平滑的高频开关操作。无论是用于同步整流、电机驱动还是各类DC-DC转换拓扑，它都能确保快速响应和稳定运行。其坚固的PowerDI5060-8封装提供了卓越的散热能力，宽温工作范围确保它在各种严苛环境下都可靠如一。

简而言之，DMTH4007SPSQ-13的核心使命，就是帮助您以更小的损耗、更高的效率和更可靠的表现，构建出性能出众的电力电子系统，让您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:DMTH4007SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.7A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2082 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH4007SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。