我们为全球各个行业提供Diodes DMTH4008LFDFW-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时征服效率、尺寸与可靠性挑战的功率开关吗？DMTH4008LFDFW-7正是您期待的答案。这颗40V N沟道MOSFET专为汽车级和高可靠性应用打造，能以仅11.5毫欧的超低导通电阻，轻松驾驭高达11.6A的连续电流，显著降低导通损耗和温升，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它卓越的开关特性（低栅极电荷和输入电容）能帮助您优化高频开关性能，提升整体能效。采用先进的U-DFN2020-6封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了出色的散热能力。无论是用于汽车动力系统、工业电机控制，还是紧凑型电源模块，它都能让您以更小的体积，实现更强大的功率处理和更高的可靠性，简化设计挑战。

• 型号:DMTH4008LFDFW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:990mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMTH4008LFDFW-7，Diodes产品一站式供应商。