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还在为寻找一颗能同时满足大电流、低损耗和高可靠性的MOSFET而烦恼吗？DMTH43M8LK3-13正是为您而来的解决方案。它能轻松驾驭高达100A的连续电流，凭借仅3.6毫欧的超低导通电阻，大幅降低开关和传导损耗，直接提升您的电源转换效率，让系统运行更凉爽、更节能。

这颗芯片专为 demanding 应用而设计。它让您能够构建更紧凑、更高效的电机驱动、电源模块或负载开关。其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保您的产品即使在严苛环境下也能稳定发挥，可靠性无可挑剔。选择DMTH43M8LK3-13，就是为您的核心电路注入一颗强劲而稳健的“心脏”。

• 型号:DMTH43M8LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2693 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:88W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH43M8LK3-13，Diodes产品一站式供应商。