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还在为寻找一颗既能承受高电流冲击，又具备极低损耗的紧凑型功率开关而烦恼吗？DMTH43M8LPSQ-13正是为您而来的解决方案。这颗40V N沟道MOSFET，拥有低至3.3毫欧的导通电阻，能显著减少能量损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

它专为严苛环境打造，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度横跨-55°C至175°C，确保在汽车电子或工业应用中的极端条件下依然稳定可靠。其PowerDI5060-8封装在提供高达2.7W散热能力的同时，保持了极小的占板面积，完美助力您实现高功率密度设计。选择它，就是选择让您的产品在性能、可靠性和空间利用上全面领先。

• 型号:DMTH43M8LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3367 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH43M8LPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。