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在追求极致能效的今天，您是否渴望一颗能大幅降低系统损耗、提升功率密度的“能量开关”？DMTH6004LPS-13正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达100A（Tc）的电流处理能力，其核心魅力在于仅2.8毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的热量产生，让您的电源设计更高效、更冷静。

它能让您轻松应对DC-DC转换、电机驱动等高要求场景。优异的开关特性（低栅极电荷）配合PowerDI5060-8封装，助力您实现小型化、高可靠性的紧凑布局。选择DMTH6004LPS-13，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMTH6004LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4515 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），138W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6004LPS-13，Diodes产品一站式供应商。