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还在为高功率开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？DMTH6004SCTB-13正是为您而来的解决方案。这颗车规级N沟道MOSFET，能轻松驾驭高达100A的连续电流和60V的电压，其核心魅力在于超低的3.4毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它不仅仅是一颗开关，更是您提升产品可靠性的关键。通过AEC-Q101认证，确保它在汽车电子等恶劣环境下依然稳定如一。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和强大的功率处理能力，让您在设计电机驱动、电源转换或负载开关时充满信心，轻松应对各种严苛挑战。

• 型号:DMTH6004SCTB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 毫欧 @ 100A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.7W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• DMTH6004SCTB-13，Diodes产品一站式供应商。