您正在寻找一颗能扛起大梁、同时保持“冷静”的功率开关吗?DMTH6004SK3Q-13正是为此而生。这颗车规级N沟道MOSFET拥有60V耐压和100A的连续电流能力,其核心魅力在于超低的3.8毫欧导通电阻,能显著降低导通损耗,让您的系统运行更高效、发热更少。
它旨在让您的设计工作变得轻松。高达180W的耗散功率和宽广的工作温度范围(-55°C ~ 175°C),确保了它在汽车电机驱动、工业电源等苛刻环境下的卓越可靠性。采用表面贴装的TO-252封装,兼顾了功率密度与焊接工艺的便利性,帮助您高效地完成PCB布局,加速产品上市进程。
- 型号:DMTH6004SK3Q-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-252-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.8 毫欧 @ 90A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):95.4 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4556 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.9W(Ta),180W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252-3
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- DMTH6004SK3Q-13,Diodes产品一站式供应商。