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还在寻找那颗能同时兼顾高效率与高可靠性的“心脏”吗？DMTH6004SPS-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达25A的连续电流能力，其核心价值在于仅3.1毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更持久。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在提供强大散热能力的同时节省宝贵空间。极低的栅极电荷确保快速开关，提升系统整体频率响应。无论是工业自动化、通信设备还是计算领域，它都能让您轻松构建高效、紧凑且可靠的功率转换链路，大幅提升终端产品的市场竞争力。

• 型号:DMTH6004SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.1 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），167W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6004SPS-13，Diodes产品一站式供应商。