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还在为功率转换电路的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让DMTH6005LFG-13来为您解决！这颗N沟道MOSFET是高效电源管理的核心，它能以极低的导通电阻（仅4.1毫欧）承载高达19.7A的连续电流，显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽，能效比大幅提升。

得益于其优化的栅极特性，它能被快速驱动，实现干净利落的开关动作，非常适合高频开关电源、电机驱动和负载开关应用。无论是提升笔记本适配器的效率，还是强化电动工具的动力输出，它都能让您的设计轻松应对。其坚固的PowerDI3333-8封装和宽广的工作温度范围，更确保了在各种严苛环境下的长期稳定运行，为您产品的可靠性保驾护航。

• 型号:DMTH6005LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 19.7A/100A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.25V ~ 4.75V
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3150 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:59°F ~ 95°F（15°C ~ 35°C）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMTH6005LFG-13，Diodes产品一站式供应商。