还在为功率转换电路的效率瓶颈和发热问题烦恼吗？DMTH6005LFG-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和超低至4.1毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效转换和更低的温升。
它采用优化的PowerDI3333-8表面贴装封装，兼具出色的散热能力和紧凑的尺寸，非常适合空间受限的高功率密度应用。无论是驱动电机、管理电源还是进行负载开关，DMTH6005LFG-7都能以高效、可靠的性能，助您简化设计，加速产品上市。
- 型号:DMTH6005LFG-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:POWERDI3333-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 19.7A/100A PWRDI
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.25V ~ 4.75V
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48.7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3150 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:59°F ~ 95°F（15°C ~ 35°C）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:POWERDI3333-8
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- DMTH6005LFG-7，Diodes产品一站式供应商。
