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还在为寻找一颗能扛起大功率重任又保持小巧身材的MOSFET而烦恼吗？DMN7022LFGQ-7正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有75V的耐压和23A的强大电流处理能力，专为要求严苛的功率开关场景设计。它能让您轻松驾驭从电动工具到高效电源转换的各种应用，是提升产品动力核心的不二法门。

它的卓越之处在于，在提供强劲性能的同时，还保持了极高的效率。其超低的导通电阻（仅22毫欧）能显著减少导通损耗，而优化的栅极电荷则确保了快速的开关响应。这意味着您的设备不仅能更高效地运行，减少发热，还能在更紧凑的空间内实现更复杂的功率拓扑。选择它，就是为您的设计注入一颗高效而可靠的心脏。

• 型号:DMN7022LFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 7.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2737 pF @ 35 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN7022LFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。