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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的核心开关器件吗？DMTH6005LK3-13正是为您而来的解决方案。它是一款N沟道MOSFET，拥有60V的漏源电压和惊人的90A连续电流处理能力，专为 demanding 的高功率应用而设计。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至5.6毫欧的导通电阻，大幅降低导通损耗，让您的电源转换效率显著提升，设备运行更凉爽、更持久。同时，其优异的开关特性帮助您轻松实现更高频率的设计，从而缩小被动元件的体积，助力产品小型化。无论是处理持续的高负载，还是应对瞬间的电流峰值，它都能提供稳定可靠的表现，让您的设计高效且充满信心。

• 型号:DMTH6005LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2962 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH6005LK3-13，Diodes产品一站式供应商。