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您是否正在寻找一颗能大幅提升开关电源效率、同时保持卓越可靠性的核心器件？DMTH6006LPSW-13正是为您而来的答案。这颗N沟道功率MOSFET拥有60V的漏源电压和仅6.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭高达17.2A的连续电流，其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速的开关切换，从而减少开关损耗，提升整体系统频率和功率密度。无论是面对工业级的严苛温度挑战，还是追求消费电子级的紧凑设计，其宽温工作范围与表面贴装封装都为您提供了坚实的保障。

简而言之，选择DMTH6006LPSW-13，就是选择了一种以卓越电气性能和稳固可靠性为核心的设计捷径，让您能更专注于产品创新，轻松实现性能与成本的完美平衡。

• 型号:DMTH6006LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6W（Ta），29.4W（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2162 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70 @ 10mA，5V / 50 @ 10mA，5V
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6006LPSW-13，Diodes产品一站式供应商。