您是否正在寻找一颗能同时征服高效率和严苛环境的功率开关？DMTH6006LPSWQ-13正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和17.2A的强劲电流能力，其核心魅力在于超低的6.5毫欧导通电阻，能显著降低系统功耗与发热，让您的电源设计轻松实现更高的能效目标。
它专为汽车电子等高要求场景打造，符合AEC-Q101标准，能在-55°C至175°C的极端温度下稳定工作，可靠性毋庸置疑。同时，其优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、干净的开关性能，让您的高频电路设计更加游刃有余。选择它，就是为您的产品选择了一份高效、可靠与持久的动力保障。
- 型号:DMTH6006LPSWQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6W（Ta），29.4W（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34.9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2162 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70 @ 10mA，5V / 50 @ 10mA，5V
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- DMTH6006LPSWQ-13，Diodes产品一站式供应商。
