还在为寻找一颗能在严苛环境下依然保持高效、可靠的功率开关而烦恼吗?让DMTH6010LK3Q-13成为您设计的强大后盾。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达70A的脉冲电流能力,其核心魅力在于极低的8毫欧导通电阻,能显著减少导通损耗,让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。
它专为汽车电子(AEC-Q101认证)和工业应用而优化,宽广的-55°C至175°C工作结温范围,确保其在极端温度下性能依然稳定。更低的栅极电荷助力实现高效快速的开关,轻松提升系统整体频率与响应速度。选择它,就是为您的产品选择了经得起考验的高性能与高可靠性,让设计挑战化为竞争优势。
- 型号:DMTH6010LK3Q-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-252-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.8A(Ta),70A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):41.3 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2090 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):31W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252-3
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- DMTH6010LK3Q-13,Diodes产品一站式供应商。