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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和节省空间的功率开关解决方案？DMTH6010LPDQ-13正是您的理想之选。这颗双N沟道MOSFET拥有60V耐压和13.1A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于低至11毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高，直接为您节省散热成本和能源开销。

它采用紧凑的PowerDI 8封装，在板上占据极小空间，却通过优异的封装设计实现了高达2.8W的散热能力，特别适合空间受限的高密度设计。更值得一提的是，它符合汽车级AEC-Q101标准，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保在恶劣环境下依然稳定工作，让您对产品的耐用性和可靠性充满信心。无论是用于汽车电机控制、DC-DC转换，还是便携式设备的电源管理，它都能让您的设计事半功倍。

• 型号:DMTH6010LPDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.1A（Ta），47.6A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2615pF @ 30V
• 功率 - 最大值:2.8W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMTH6010LPDQ-13，Diodes产品一站式供应商。