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还在为电源设计中的效率瓶颈和热管理头疼吗？DMTH6010LPSWQ-13就是您的高效解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您做什么？它就像一个反应迅捷、损耗极低的“电子开关”，让您轻松驾驭高达60V电压和15.5A的连续电流，特别适合汽车级应用中对可靠性和效率要求严苛的场景。

它的核心价值在于“高效”与“可靠”。极低的8毫欧导通电阻意味着电流通过时产生的热量更少，让您的系统运行更凉爽，整体能效大幅提升。同时，高达175°C的结温工作范围和AEC-Q101认证，确保了它在汽车引擎舱等恶劣环境下依然稳定如山，大幅提升您产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:DMTH6010LPSWQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15.5A/98A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Ta），98A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6010LPSWQ-13，Diodes产品一站式供应商。