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还在为功率器件的效率瓶颈和发热问题烦恼吗？DMTH6010SPS-13正是为您破局而来。这颗60V N沟道功率MOSFET，凭借低至8毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它不仅能轻松应对高达100A的持续电流，其优化的开关特性（如38.1nC的低栅极电荷）更能助力实现高频、高效的开关操作，从而提升整体系统功率密度。无论是用于服务器电源、工业电机控制，还是高可靠性车载设备，DMTH6010SPS-13都能让您以更小的体积和更低的温升，获得更强劲、更稳定的功率输出表现。

• 型号:DMTH6010SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2841 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），167W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6010SPS-13，Diodes产品一站式供应商。