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还在为寻找一颗既能承受高电压大电流，又能保持超低损耗的功率开关而四处寻觅吗？DMTH6012LPSW-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压能力和高达75A的连续漏极电流，其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动下仅14毫欧，能显著减少导通时的功率损耗，让您的电源模块或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它专为 demanding 应用而生。无论是服务器电源、工业自动化设备中的电机控制，还是高功率密度的DC-DC转换器，DMTH6012LPSW-13都能轻松胜任。其优化的栅极电荷特性让开关速度更快、损耗更低，配合宽达-55°C至175°C的工作结温，确保您的产品在严苛环境下依然稳定可靠。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的“心脏”。

• 型号:DMTH6012LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.22V @ 15V，75A
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:785 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:78689-0001
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6012LPSW-13，Diodes产品一站式供应商。