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还在为电源设计中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让DMTH6016LFDFWQ-13为您开启高效节能的新篇章！这颗汽车级N沟道MOSFET，能轻松驾驭60V电压和9.4A电流，其惊人的低导通电阻（仅18毫欧）能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，能效比大幅提升。

它专为严苛环境而生，工作温度横跨-55°C至175°C，并符合AEC-Q101标准，是汽车电子、工业控制等可靠性要求极高应用的理想心脏。其超小的U-DFN2020-6封装，让您在有限的板级空间内实现强大的功率处理能力，同时快速的开关特性助力您打造响应更迅捷的电源与驱动方案。选择它，就是为您的产品选择了稳健、高效与未来。

• 型号:DMTH6016LFDFWQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.06W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMTH6016LFDFWQ-13，Diodes产品一站式供应商。