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还在为寻找一颗能同时满足高效率、高可靠性和紧凑尺寸的功率开关而烦恼吗？DMTH6016LFVW-13正是为您而来的解决方案。这颗60V/41A的N沟道MOSFET，以其低至16毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低您的系统开关损耗和驱动损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉、更高效。

它采用先进的PowerDI3333封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了极小的占板面积，特别适合空间受限的现代电子设计。更值得一提的是，它拥有汽车级AEC-Q101认证，工作结温高达175°C，确保在恶劣环境下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了经得起考验的耐久性和卓越的性能表现。

• 型号:DMTH6016LFVW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):41A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMTH6016LFVW-13，Diodes产品一站式供应商。