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您正在寻找一颗能同时兼顾高可靠性、高效率与紧凑设计的功率开关芯片吗？DMTH6016LSD-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，拥有7.6A的强大电流处理能力和低至19.5毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它专为严苛环境设计，符合汽车级AEC-Q101标准，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保在汽车电子或工业应用中的极端条件下依然稳定如一。其优化的栅极电荷和输入电容，让您能轻松实现快速、精准的开关控制。采用节省空间的8-SOIC封装，它让您在提升功率密度的同时，毫不妥协于可靠性，是驱动电机、负载开关和电源管理的理想核心。

• 型号:DMTH6016LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864pF @ 30V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• DMTH6016LSD-13，Diodes产品一站式供应商。